供应Langer E1 电磁兼容抗干扰开发系统,E1 求购,使用方法
Langer E1抗干扰开发系统产品介绍:
如果电子模块和设备在burst和ESD脉冲测试中发生功能失效,那么被测设备(EUT)进行修改。E开发系统被用于和的确定EUT内功能失效的原因,用户能够找出多少以及为什么立的导线和元件被影响,这允许用户直接在电路上或在布局布线中进行适宜的纠正行为。SGZ 21 burst产生器可以产生的测试脉冲,这些脉冲通过导线连接或通过磁场或电场源被耦合到EUT中,在测试过程中,通过一个传感器和EUT内部测量得到的干扰电流,信号可以被监视。 包括: Burst产生器SGZ 21 带有OFP的EMC传感器S31 磁场探头MS 02 磁场源探头BS02 磁场源探头BS 04 DB 磁场源探头BS 05 D 磁场源探头BS 05 DU 电场源探头ES 00 电场源探头ES 01 电场源探头ES 02 电场源探头ES 05 D 电场源探头ES 08 D 附件 使用说明 带有泡沫塑料填充的包装箱
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E1抗干扰开发系统中SGZ21脉冲的幅度是连续变化的。峰值在0-1500V之间,是按统计平均分布的。利用这种方法,配合传感器能对模块进行特别*的抗干扰性能评估(脉冲率测试法-见2.5节),为此,发生器内置了一个带光纤(2.2mm塑料光纤)输入的计数器。 同时SGZ21采用电气隔离(无PE参考)的对称输出。干扰脉冲能被容性耦合,性可变。这样,就能采用各种耦合方式,例如: -把发生器的输出直接连接到被测物的GND系统上,把干扰电流直接注入到GND系统。 -把干扰电流注入到GND,然后从VCC返回。 -干扰电流可以注入到变压器、分配器或者光耦的初级,从次级返回(在工作电压大于42V时,对SGZ21要有相应的保护) 连接到发生器的场源,可以很好的被测设备的临界结构。 E1抗干扰开发系统利用场源,把burst信号转换为很小区域的磁场或者电场,可以注入到被测设备内部很小的区域内,或者单根电缆上。从而准确被测设备内部电磁敏感点的位置。 不同的电路结构,可能会对磁场敏感,也可能会对电场敏感。E1中的场源,有的是产生磁场的,有的是产生电场的,这样可以确认EUT是对哪种类型的干扰场敏感。场源和SGZ21的连接方法见图5。除了场源能产生干扰场之外,连接电缆也会把干扰耦合到EUT并影响测量结果。所以,电缆应该尽可能放置得离EUT远一些。